삼성, D램에 극자외선(EUV) 공정 적용…하반기 평택 신규라인 가동 본격화

최태우 기자 / 기사승인 : 2020-03-25 13:04:11
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4세대 10나노급(1a) D램부터 EUV 적용, 5세대·6세대 모델에도 확대
▲ 삼성전자가 25일 D램에 EUV 공정을 적용하는 양산체제를 구축했다고 밝혔다. [사진=삼성전자]
[IT비즈뉴스 최태우 기자] 삼성전자가 관련 업계 최초로 D램에 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 공정을 적용하는 양산 체제를 갖췄다. 하반기에 평택 신규라인을 본격 가동하고 프리미엄 시장 수요에 적극 대응한다는 전략이다.

25일 삼성전자에 따르면, EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 공급하면서 글로벌 고객사의 평가를 완료했다. 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용하고 기술 경쟁력 강화에 나선다.

EUV 노광기술을 적용하면 멀티패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높일 수 있다. 성능과 수율이 향상되면서 제품 개발 기간도 단축할 수 있는 장점이 있다.

사측은 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 4세대 10나노급(1a) D램 양산기술을 개발 중이다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램 대비 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일 수 있다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발하면서 기술 리더십 강화 채비에 나선다는 전략이다. 하반기에는 평택 신규라인을 가동하고 차세대 프리미엄 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산체제를 구축할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초 EUV 공정을 D램 양산에 적용하면서 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며 “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 밝혔다.

 

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